Оборудование и радиоэлектронные компоненты
Каталог Заказ
Фото FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies — FF900R12IE4BOSA1 — Одиночные IGBT транзисторы — Infineon Technologies

Фото носит ознакомительный характер. Одно изображение может представлять всю серию — внешний вид конкретного изделия может отличаться.

Частые вопросы о покупке FF900R12IE4BOSA1

Какой срок поставки FF900R12IE4BOSA1?
Стандартный срок — от 7 до 65 дней в зависимости от страны склада и логистики. Часть позиций — в наличии на нашем складе в Москве, отгружаем в течение 1–2 дней. Точный срок по FF900R12IE4BOSA1 назовёт менеджер после проверки остатков.
Есть ли минимальная партия?
Минимальная партия индивидуальна по каждой позиции — зависит от упаковки производителя и условий поставщика. Точное количество сообщим заранее, до оформления заказа.
Доставка по всей России?
Да. Доставляем по всей России транспортными компаниями (СДЭК, ПЭК, Деловые Линии) либо курьером до склада или проходной вашего предприятия. Самовывоз — из офиса в Москве.
Что если нужен аналог?
Если FF900R12IE4BOSA1 недоступен или слишком долгий срок — подберём функциональный аналог. Нажмите «Аналог» в карточке или оставьте заявку с описанием задачи.
Infineon Technologies RU | EN

FF900R12IE4BOSA1 Infineon Technologies — Одиночные IGBT транзисторы

Поиск по складам
Артикул: FF900R12IE4BOSA1

Цена

от 36 873,97 ₽

Отображается последняя зафиксированная цена в системе. Для уточнения актуальной стоимости и наличия воспользуйтесь автоматическим поиском ниже или оставьте заявку.

Характеристики

Производитель Infineon Technologies
Категория Одиночные IGBT транзисторы
Описание (EN) IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 900A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis
Тип упаковки Palette (палетта)

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 900 А, Одиночные IGBT транзисторы, 900А. Производитель: Infineon Technologies

Дополнительная информация

Англоязычное наименование: IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 900A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V; Power Dissipation Pd:5.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transis. Применение: полевой транзистор, силовой ключ, коммутация

Глобальный поиск по складам и дистрибьюторам

Показываем реальные остатки и цены от 1300+ поставщиков со всего мира. Вы выбираете — мы доставляем.

Если вы в карточке товара, артикул уже введён — просто нажмите «Найти». Поиск актуальных предложений по всему миру занимает около 30 секунд.

Ищем по 1300+ складам и стокам...

Это может занять до 30 секунд — мы проверяем наличие у поставщиков по всему миру

По запросу «» ничего не найдено

Попробуйте другой артикул или упростите запрос

Введите наименование компонента для поиска

Мы проверим наличие на наших складах и у мировых поставщиков

склады — , стоки —
CSV

Не нашли компонент?

Оставьте заявку — мы найдём и свяжемся с вами

Поставка импортных электронных компонентов: находим дефицит, предлагаем аналоги. Ждем ваших запросов